Les microscopes électroniques à transmission (MET) utilisent principalement des caméras indirectes pour la détection d'électrons en imagerie, diffraction et spectroscopie de perte d'énergie électronique (EELS). Ces caméras convertissent les électrons incidents en photons qui, par le biais d'un réseau de fibres optiques ou d'une lentille, sont couplés à une caméra photosensible. Cette méthode de détection indirecte a généralement un impact négatif sur la fonction d'étalement des points (PSF) et l'efficacité quantique de détection (DQE) de la caméra. Au cours de la dernière décennie, des capteurs de pixels actifs CMOS tolérants aux radiations, qui détectent directement les électrons incidents individuels à haute énergie, ont été utilisés dans les détecteurs pour améliorer considérablement le PSF et le DQE. Ces caméras à détection directe ont révolutionné le domaine de la cryo-TEM et présentent de forts avantages pour la TEM in situ dans les applications
d'imagerie et de diffraction.
Les applications EELS peuvent bénéficier d'une PSF améliorée et de la capacité de compter les électrons. Le PSF amélioré permet d'acquérir des spectres sur de plus grandes gammes d'énergie tout en conservant des caractéristiques nettes et des queues spectrales considérablement réduites. La capacité de compter les électrons élimine presque le bruit associé à la lecture du détecteur et réduit considérablement le bruit proportionnel associé aux variations de gain du détecteur. Cela laisse effectivement le bruit de tir comme source de bruit limitante présente. L'implication pour l'acquisition de l'EELS est que l'analyse de structure fine devient plus simple dans des conditions typiques et même possible dans le cas de faibles niveaux de signal.
Dans cette présentation, nous passons en revue l'état actuel des détecteurs de comptage d'électrons pour la microscopie électronique en mettant l'accent sur le système de mesures EELS.
Présentateur
Liam Spillane, Ph.D., spécialiste des applications analytiques
